Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AUIRF1018E
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Číslo dílu
AUIRF1018E
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2290pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20904 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AUIRF1018E
AUIRF1018E Elektronické komponenty
AUIRF1018E Odbyt
AUIRF1018E Dodavatel
AUIRF1018E Distributor
AUIRF1018E Datová tabulka
AUIRF1018E Fotky
AUIRF1018E Cena
AUIRF1018E Nabídka
AUIRF1018E Nejnižší cena
AUIRF1018E Vyhledávání
AUIRF1018E Nákup
AUIRF1018E Chip