Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GP1M018A020HG
MOSFET N-CH 200V 18A TO220
Číslo dílu
GP1M018A020HG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25882 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GP1M018A020HG
GP1M018A020HG Elektronické komponenty
GP1M018A020HG Odbyt
GP1M018A020HG Dodavatel
GP1M018A020HG Distributor
GP1M018A020HG Datová tabulka
GP1M018A020HG Fotky
GP1M018A020HG Cena
GP1M018A020HG Nabídka
GP1M018A020HG Nejnižší cena
GP1M018A020HG Vyhledávání
GP1M018A020HG Nákup
GP1M018A020HG Chip