Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
GA08JT17-247
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Číslo dílu
GA08JT17-247
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247AB
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
-
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc) (90°C)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 8A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23556 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova GA08JT17-247
GA08JT17-247 Elektronické komponenty
GA08JT17-247 Odbyt
GA08JT17-247 Dodavatel
GA08JT17-247 Distributor
GA08JT17-247 Datová tabulka
GA08JT17-247 Fotky
GA08JT17-247 Cena
GA08JT17-247 Nabídka
GA08JT17-247 Nejnižší cena
GA08JT17-247 Vyhledávání
GA08JT17-247 Nákup
GA08JT17-247 Chip