ZXMN2A02N8TA
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
ZXMN2A02N8TA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
1.56W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48534 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova ZXMN2A02N8TA
ZXMN2A02N8TA Elektronické komponenty
ZXMN2A02N8TA Odbyt
ZXMN2A02N8TA Dodavatel
ZXMN2A02N8TA Distributor
ZXMN2A02N8TA Datová tabulka
ZXMN2A02N8TA Fotky
ZXMN2A02N8TA Cena
ZXMN2A02N8TA Nabídka
ZXMN2A02N8TA Nejnižší cena
ZXMN2A02N8TA Vyhledávání
ZXMN2A02N8TA Nákup
ZXMN2A02N8TA Chip