ZXMN10A11GTA
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Číslo dílu
ZXMN10A11GTA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
274pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47579 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova ZXMN10A11GTA
ZXMN10A11GTA Elektronické komponenty
ZXMN10A11GTA Odbyt
ZXMN10A11GTA Dodavatel
ZXMN10A11GTA Distributor
ZXMN10A11GTA Datová tabulka
ZXMN10A11GTA Fotky
ZXMN10A11GTA Cena
ZXMN10A11GTA Nabídka
ZXMN10A11GTA Nejnižší cena
ZXMN10A11GTA Vyhledávání
ZXMN10A11GTA Nákup
ZXMN10A11GTA Chip