ZXMN10A08GTA
MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Číslo dílu
ZXMN10A08GTA
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21609 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova ZXMN10A08GTA
ZXMN10A08GTA Elektronické komponenty
ZXMN10A08GTA Odbyt
ZXMN10A08GTA Dodavatel
ZXMN10A08GTA Distributor
ZXMN10A08GTA Datová tabulka
ZXMN10A08GTA Fotky
ZXMN10A08GTA Cena
ZXMN10A08GTA Nabídka
ZXMN10A08GTA Nejnižší cena
ZXMN10A08GTA Vyhledávání
ZXMN10A08GTA Nákup
ZXMN10A08GTA Chip