DMTH8012LPS-13
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
Číslo dílu
DMTH8012LPS-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerDI5060-8
Ztráta energie (max.)
2.6W (Ta), 136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 72A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1949pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13426 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMTH8012LPS-13
DMTH8012LPS-13 Elektronické komponenty
DMTH8012LPS-13 Odbyt
DMTH8012LPS-13 Dodavatel
DMTH8012LPS-13 Distributor
DMTH8012LPS-13 Datová tabulka
DMTH8012LPS-13 Fotky
DMTH8012LPS-13 Cena
DMTH8012LPS-13 Nabídka
DMTH8012LPS-13 Nejnižší cena
DMTH8012LPS-13 Vyhledávání
DMTH8012LPS-13 Nákup
DMTH8012LPS-13 Chip