DMT36M1LPS-13
MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060
Číslo dílu
DMT36M1LPS-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerDI5060-8
Ztráta energie (max.)
2.6W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1155pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24487 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMT36M1LPS-13
DMT36M1LPS-13 Elektronické komponenty
DMT36M1LPS-13 Odbyt
DMT36M1LPS-13 Dodavatel
DMT36M1LPS-13 Distributor
DMT36M1LPS-13 Datová tabulka
DMT36M1LPS-13 Fotky
DMT36M1LPS-13 Cena
DMT36M1LPS-13 Nabídka
DMT36M1LPS-13 Nejnižší cena
DMT36M1LPS-13 Vyhledávání
DMT36M1LPS-13 Nákup
DMT36M1LPS-13 Chip