Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMT10H015LFG-7
MOSFET N-CH 100V 10A
Číslo dílu
DMT10H015LFG-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerDI3333-8
Ztráta energie (max.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1871pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12258 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMT10H015LFG-7
DMT10H015LFG-7 Elektronické komponenty
DMT10H015LFG-7 Odbyt
DMT10H015LFG-7 Dodavatel
DMT10H015LFG-7 Distributor
DMT10H015LFG-7 Datová tabulka
DMT10H015LFG-7 Fotky
DMT10H015LFG-7 Cena
DMT10H015LFG-7 Nabídka
DMT10H015LFG-7 Nejnižší cena
DMT10H015LFG-7 Vyhledávání
DMT10H015LFG-7 Nákup
DMT10H015LFG-7 Chip