DMP21D6UFD-7
MOSFETP-CHAN 20V X1-DFN1212-3
Číslo dílu
DMP21D6UFD-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-UDFN
Dodavatelský balíček zařízení
X1-DFN1212-3
Ztráta energie (max.)
400mW
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
46.1pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37830 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMP21D6UFD-7
DMP21D6UFD-7 Elektronické komponenty
DMP21D6UFD-7 Odbyt
DMP21D6UFD-7 Dodavatel
DMP21D6UFD-7 Distributor
DMP21D6UFD-7 Datová tabulka
DMP21D6UFD-7 Fotky
DMP21D6UFD-7 Cena
DMP21D6UFD-7 Nabídka
DMP21D6UFD-7 Nejnižší cena
DMP21D6UFD-7 Vyhledávání
DMP21D6UFD-7 Nákup
DMP21D6UFD-7 Chip