Koupit Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

DMN65D8LW-7

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Číslo dílu

DMN65D8LW-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

SC-70, SOT-323

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-323

Ztráta energie (max.)

300mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

300mA (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

3 Ohm @ 115mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

0.87nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 25998 PCS

Kontaktní informace

Související produkty