Koupit Diodes Incorporated DMN62D1LFD-7 MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

DMN62D1LFD-7

MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Číslo dílu

DMN62D1LFD-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

3-UDFN

Dodavatelský balíček zařízení

X1-DFN1212-3

Ztráta energie (max.)

500mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

400mA (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

2 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

0.55nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 4V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 25661 PCS

Kontaktní informace

Související produkty