Koupit Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7 MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

DMN62D0LFB-7

MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

Číslo dílu

DMN62D0LFB-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

3-UFDFN

Dodavatelský balíček zařízení

3-X1DFN1006

Ztráta energie (max.)

470mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

100mA (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

2 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

0.45nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.5V, 4V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 48780 PCS

Kontaktní informace

Související produkty