Koupit Diodes Incorporated DMN6070SY-13 MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

DMN6070SY-13

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Číslo dílu

DMN6070SY-13

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-243AA

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-89-3

Ztráta energie (max.)

2.1W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

4.1A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

85 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

588pF @ 30V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 32195 PCS

Kontaktní informace

Související produkty