Koupit Diodes Incorporated DMN6069SFGQ-7 MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

DMN6069SFGQ-7

MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333

Číslo dílu

DMN6069SFGQ-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerVDFN

Dodavatelský balíček zařízení

PowerDI3333-8

Ztráta energie (max.)

2.4W

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

50 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 30V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 11620 PCS

Kontaktní informace

Související produkty