Koupit Diodes Incorporated DMN32D2LFB4-7 MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

DMN32D2LFB4-7

MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Číslo dílu

DMN32D2LFB4-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Digi-Reel®

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

3-XFDFN

Dodavatelský balíček zařízení

X2-DFN1006-3

Ztráta energie (max.)

350mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

300mA (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

1.2 Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

39pF @ 3V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.8V, 4V

VGS (max.)

±10V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 23308 PCS

Kontaktní informace

Související produkty