Koupit Diodes Incorporated DMN3016LFDE-7 MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

DMN3016LFDE-7

MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Číslo dílu

DMN3016LFDE-7

Výrobce/značka

Diodes Incorporated

Série

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

6-UDFN Exposed Pad

Dodavatelský balíček zařízení

U-DFN2020-6 (Type E)

Ztráta energie (max.)

730mW (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

12 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 22942 PCS

Kontaktní informace

Související produkty