Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMN2011UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Číslo dílu
DMN2011UFDF-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
U-DFN2020-6 (Type F)
Ztráta energie (max.)
2.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2248pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15752 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7 Elektronické komponenty
DMN2011UFDF-7 Odbyt
DMN2011UFDF-7 Dodavatel
DMN2011UFDF-7 Distributor
DMN2011UFDF-7 Datová tabulka
DMN2011UFDF-7 Fotky
DMN2011UFDF-7 Cena
DMN2011UFDF-7 Nabídka
DMN2011UFDF-7 Nejnižší cena
DMN2011UFDF-7 Vyhledávání
DMN2011UFDF-7 Nákup
DMN2011UFDF-7 Chip