Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMN2009LSS-13
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Číslo dílu
DMN2009LSS-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOP
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2555pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30533 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN2009LSS-13
DMN2009LSS-13 Elektronické komponenty
DMN2009LSS-13 Odbyt
DMN2009LSS-13 Dodavatel
DMN2009LSS-13 Distributor
DMN2009LSS-13 Datová tabulka
DMN2009LSS-13 Fotky
DMN2009LSS-13 Cena
DMN2009LSS-13 Nabídka
DMN2009LSS-13 Nejnižší cena
DMN2009LSS-13 Vyhledávání
DMN2009LSS-13 Nákup
DMN2009LSS-13 Chip