DMN1150UFB-7B
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Číslo dílu
DMN1150UFB-7B
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-UFDFN
Dodavatelský balíček zařízení
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.41A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
106pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36248 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN1150UFB-7B
DMN1150UFB-7B Elektronické komponenty
DMN1150UFB-7B Odbyt
DMN1150UFB-7B Dodavatel
DMN1150UFB-7B Distributor
DMN1150UFB-7B Datová tabulka
DMN1150UFB-7B Fotky
DMN1150UFB-7B Cena
DMN1150UFB-7B Nabídka
DMN1150UFB-7B Nejnižší cena
DMN1150UFB-7B Vyhledávání
DMN1150UFB-7B Nákup
DMN1150UFB-7B Chip