Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMN10H170SFDE-13
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Číslo dílu
DMN10H170SFDE-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
U-DFN2020-6 (Type E)
Ztráta energie (max.)
660mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1167pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24571 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN10H170SFDE-13
DMN10H170SFDE-13 Elektronické komponenty
DMN10H170SFDE-13 Odbyt
DMN10H170SFDE-13 Dodavatel
DMN10H170SFDE-13 Distributor
DMN10H170SFDE-13 Datová tabulka
DMN10H170SFDE-13 Fotky
DMN10H170SFDE-13 Cena
DMN10H170SFDE-13 Nabídka
DMN10H170SFDE-13 Nejnižší cena
DMN10H170SFDE-13 Vyhledávání
DMN10H170SFDE-13 Nákup
DMN10H170SFDE-13 Chip