DMN1032UCB4-7
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Číslo dílu
DMN1032UCB4-7
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-UFBGA, WLBGA
Dodavatelský balíček zařízení
U-WLB1010-4
Ztráta energie (max.)
900mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42922 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMN1032UCB4-7
DMN1032UCB4-7 Elektronické komponenty
DMN1032UCB4-7 Odbyt
DMN1032UCB4-7 Dodavatel
DMN1032UCB4-7 Distributor
DMN1032UCB4-7 Datová tabulka
DMN1032UCB4-7 Fotky
DMN1032UCB4-7 Cena
DMN1032UCB4-7 Nabídka
DMN1032UCB4-7 Nejnižší cena
DMN1032UCB4-7 Vyhledávání
DMN1032UCB4-7 Nákup
DMN1032UCB4-7 Chip