DMG9N65CT
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Číslo dílu
DMG9N65CT
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
165W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17570 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG9N65CT
DMG9N65CT Elektronické komponenty
DMG9N65CT Odbyt
DMG9N65CT Dodavatel
DMG9N65CT Distributor
DMG9N65CT Datová tabulka
DMG9N65CT Fotky
DMG9N65CT Cena
DMG9N65CT Nabídka
DMG9N65CT Nejnižší cena
DMG9N65CT Vyhledávání
DMG9N65CT Nákup
DMG9N65CT Chip