Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG8N65SCT
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Číslo dílu
DMG8N65SCT
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1217pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13726 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG8N65SCT
DMG8N65SCT Elektronické komponenty
DMG8N65SCT Odbyt
DMG8N65SCT Dodavatel
DMG8N65SCT Distributor
DMG8N65SCT Datová tabulka
DMG8N65SCT Fotky
DMG8N65SCT Cena
DMG8N65SCT Nabídka
DMG8N65SCT Nejnižší cena
DMG8N65SCT Vyhledávání
DMG8N65SCT Nákup
DMG8N65SCT Chip