Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG7N65SJ3
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Číslo dílu
DMG7N65SJ3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3, IPak, Short Leads
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
886pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38207 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG7N65SJ3
DMG7N65SJ3 Elektronické komponenty
DMG7N65SJ3 Odbyt
DMG7N65SJ3 Dodavatel
DMG7N65SJ3 Distributor
DMG7N65SJ3 Datová tabulka
DMG7N65SJ3 Fotky
DMG7N65SJ3 Cena
DMG7N65SJ3 Nabídka
DMG7N65SJ3 Nejnižší cena
DMG7N65SJ3 Vyhledávání
DMG7N65SJ3 Nákup
DMG7N65SJ3 Chip