Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG7N65SCTI
MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB
Číslo dílu
DMG7N65SCTI
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
ITO-220AB
Ztráta energie (max.)
28W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
886pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41071 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG7N65SCTI
DMG7N65SCTI Elektronické komponenty
DMG7N65SCTI Odbyt
DMG7N65SCTI Dodavatel
DMG7N65SCTI Distributor
DMG7N65SCTI Datová tabulka
DMG7N65SCTI Fotky
DMG7N65SCTI Cena
DMG7N65SCTI Nabídka
DMG7N65SCTI Nejnižší cena
DMG7N65SCTI Vyhledávání
DMG7N65SCTI Nákup
DMG7N65SCTI Chip