DMG4N65CTI
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
Číslo dílu
DMG4N65CTI
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dodavatelský balíček zařízení
ITO-220AB
Ztráta energie (max.)
8.35W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35133 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG4N65CTI
DMG4N65CTI Elektronické komponenty
DMG4N65CTI Odbyt
DMG4N65CTI Dodavatel
DMG4N65CTI Distributor
DMG4N65CTI Datová tabulka
DMG4N65CTI Fotky
DMG4N65CTI Cena
DMG4N65CTI Nabídka
DMG4N65CTI Nejnižší cena
DMG4N65CTI Vyhledávání
DMG4N65CTI Nákup
DMG4N65CTI Chip