Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG4N60SK3-13
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
Číslo dílu
DMG4N60SK3-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
48W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
532pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43459 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG4N60SK3-13
DMG4N60SK3-13 Elektronické komponenty
DMG4N60SK3-13 Odbyt
DMG4N60SK3-13 Dodavatel
DMG4N60SK3-13 Distributor
DMG4N60SK3-13 Datová tabulka
DMG4N60SK3-13 Fotky
DMG4N60SK3-13 Cena
DMG4N60SK3-13 Nabídka
DMG4N60SK3-13 Nejnižší cena
DMG4N60SK3-13 Vyhledávání
DMG4N60SK3-13 Nákup
DMG4N60SK3-13 Chip