Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMG4N60SJ3
MOSFET NCH 600V 3A TO251
Číslo dílu
DMG4N60SJ3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251
Ztráta energie (max.)
41W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
532pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44300 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMG4N60SJ3
DMG4N60SJ3 Elektronické komponenty
DMG4N60SJ3 Odbyt
DMG4N60SJ3 Dodavatel
DMG4N60SJ3 Distributor
DMG4N60SJ3 Datová tabulka
DMG4N60SJ3 Fotky
DMG4N60SJ3 Cena
DMG4N60SJ3 Nabídka
DMG4N60SJ3 Nejnižší cena
DMG4N60SJ3 Vyhledávání
DMG4N60SJ3 Nákup
DMG4N60SJ3 Chip