Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
C3M0280090J
MOSFET N-CH 900V 11A
Číslo dílu
C3M0280090J
Výrobce/značka
Série
C3M™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK-7
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
VGS (max.)
+18V, -8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15785 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova C3M0280090J
C3M0280090J Elektronické komponenty
C3M0280090J Odbyt
C3M0280090J Dodavatel
C3M0280090J Distributor
C3M0280090J Datová tabulka
C3M0280090J Fotky
C3M0280090J Cena
C3M0280090J Nabídka
C3M0280090J Nejnižší cena
C3M0280090J Vyhledávání
C3M0280090J Nákup
C3M0280090J Chip