Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOT4S60L

AOT4S60L

MOSFET N-CH 600V 4A TO220
Číslo dílu
AOT4S60L
Série
aMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
263pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45167 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AOT4S60L
AOT4S60L Elektronické komponenty
AOT4S60L Odbyt
AOT4S60L Dodavatel
AOT4S60L Distributor
AOT4S60L Datová tabulka
AOT4S60L Fotky
AOT4S60L Cena
AOT4S60L Nabídka
AOT4S60L Nejnižší cena
AOT4S60L Vyhledávání
AOT4S60L Nákup
AOT4S60L Chip