Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOT11S60L
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Číslo dílu
AOT11S60L
Výrobce/značka
Série
aMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
178W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
545pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12107 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOT11S60L
AOT11S60L Elektronické komponenty
AOT11S60L Odbyt
AOT11S60L Dodavatel
AOT11S60L Distributor
AOT11S60L Datová tabulka
AOT11S60L Fotky
AOT11S60L Cena
AOT11S60L Nabídka
AOT11S60L Nejnižší cena
AOT11S60L Vyhledávání
AOT11S60L Nákup
AOT11S60L Chip