onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SMMBT5551LT3G
NPN 160V 600mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
SMMBT5551LT3G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
This high voltage NPN bipolar transistor is suitable for general switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 96459 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SMMBT5551LT3G
SMMBT5551LT3G Elektronické komponenty
SMMBT5551LT3G Odbyt
SMMBT5551LT3G Dodavatel
SMMBT5551LT3G Distributor
SMMBT5551LT3G Datová tabulka
SMMBT5551LT3G Fotky
SMMBT5551LT3G Cena
SMMBT5551LT3G Nabídka
SMMBT5551LT3G Nejnižší cena
SMMBT5551LT3G Vyhledávání
SMMBT5551LT3G Nákup
SMMBT5551LT3G Chip