VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Si4463CDY-T1-GE3-VB P-channel 30V 13.5A

Si4463CDY-T1-GE3-VB

P-channel 30V 13.5A
Číslo dílu
Si4463CDY-T1-GE3-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SO-8
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 57236 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova Si4463CDY-T1-GE3-VB
Si4463CDY-T1-GE3-VB Elektronické komponenty
Si4463CDY-T1-GE3-VB Odbyt
Si4463CDY-T1-GE3-VB Dodavatel
Si4463CDY-T1-GE3-VB Distributor
Si4463CDY-T1-GE3-VB Datová tabulka
Si4463CDY-T1-GE3-VB Fotky
Si4463CDY-T1-GE3-VB Cena
Si4463CDY-T1-GE3-VB Nabídka
Si4463CDY-T1-GE3-VB Nejnižší cena
Si4463CDY-T1-GE3-VB Vyhledávání
Si4463CDY-T1-GE3-VB Nákup
Si4463CDY-T1-GE3-VB Chip