Koupit VBsemi (Wei Bi) SI3477DV-T1-GE3-VB P-channel 30V 4.8A

VBsemi (Wei Bi)

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

SI3477DV-T1-GE3-VB

P-channel 30V 4.8A

Číslo dílu

SI3477DV-T1-GE3-VB

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Výrobce/značka

VBsemi (Wei Bi)

Encapsulation

SOT-23-6

Balení

taping

Počet balíků

3000

Popis

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 77749 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SI3400A-TP

N-channel 30V 5.8A

MCC (Meiweike)

SI3401A-TP

P-channel 30V 4.2A

MCC (Meiweike)

SI3402-B-GM

SKYWORKS

SI3402-B-GMR

SILICON LABS(Semiconductor)

SI3402-TP

N-channel 30V 4A

MCC (Meiweike)

SI3404-A-GM

Silicon Labs-APS

SILICON LABS

SI3404-A-GMR

Fully integrated IEEE 802.3 Type1 compliant POE PD interface High efficiency switching regulator with compact footprint

SILICON LABS

SI3404-TP

N-channel 30V 5.8A

MCC (Meiweike)

SI3404HE3-TPA01

MCC (Meiweike)

SI34061-A-GM

Silicon Labs-APS

SILICON LABS(Semiconductor)

SI3407-TP

P-channel 30V 4.1A

MCC (Meiweike)

SI3407DV-T1-BE3

P-channel 20V 8A 7.5A

VISHAY (Vishay)

SI3407DV-T1-GE3

VISHAY (Vishay)

Si3407DV-T1-GE3-VB

P-channel 30V 4.8A

VBsemi (Wei Bi)

Si3407DV-T1-VB

P-channel 30V 4.6A

VBsemi (Wei Bi)

SI3407HE3-TP

P-channel 30V 4.1A

MCC (Meiweike)

SI3410DV-T1-GE3

N-channel 30V 8A

VISHAY (Vishay)

SI3415-TP

P-channel 20V 4A

MCC (Meiweike)

Klíčová slova SI3477DV-T1-GE3-VB

SI3477DV-T1-GE3-VB Elektronické komponenty

SI3477DV-T1-GE3-VB Odbyt

SI3477DV-T1-GE3-VB Dodavatel

SI3477DV-T1-GE3-VB Distributor

SI3477DV-T1-GE3-VB Datová tabulka

SI3477DV-T1-GE3-VB Fotky

SI3477DV-T1-GE3-VB Cena

SI3477DV-T1-GE3-VB Nabídka

SI3477DV-T1-GE3-VB Nejnižší cena

SI3477DV-T1-GE3-VB Vyhledávání

SI3477DV-T1-GE3-VB Nákup

SI3477DV-T1-GE3-VB Chip