onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD2955-1G P-Channel 60V 12A Single P-Channel, Power MOSFET, -60V, -12A, 180mΩ

NTD2955-1G

P-Channel 60V 12A Single P-Channel, Power MOSFET, -60V, -12A, 180mΩ
Číslo dílu
NTD2955-1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-251(IPAK)
Balení
Tube
Počet balíků
75
Popis
This power MOSFET is suitable for withstanding high energy in avalanche and commutation modes. Suitable for low voltage high speed switching applications in power supplies, converters and power motor control. These devices are especially useful in bridge circuits where diode speed and commutation safe operating regions are critical, providing additional safety margin against unintended transient voltages.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 56840 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTD2955-1G
NTD2955-1G Elektronické komponenty
NTD2955-1G Odbyt
NTD2955-1G Dodavatel
NTD2955-1G Distributor
NTD2955-1G Datová tabulka
NTD2955-1G Fotky
NTD2955-1G Cena
NTD2955-1G Nabídka
NTD2955-1G Nejnižší cena
NTD2955-1G Vyhledávání
NTD2955-1G Nákup
NTD2955-1G Chip