onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVMUN5312DW1T2G
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
NSVMUN5312DW1T2G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-363-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistor and base resistor. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50940 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NSVMUN5312DW1T2G
NSVMUN5312DW1T2G Elektronické komponenty
NSVMUN5312DW1T2G Odbyt
NSVMUN5312DW1T2G Dodavatel
NSVMUN5312DW1T2G Distributor
NSVMUN5312DW1T2G Datová tabulka
NSVMUN5312DW1T2G Fotky
NSVMUN5312DW1T2G Cena
NSVMUN5312DW1T2G Nabídka
NSVMUN5312DW1T2G Nejnižší cena
NSVMUN5312DW1T2G Vyhledávání
NSVMUN5312DW1T2G Nákup
NSVMUN5312DW1T2G Chip