onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVMUN5113DW1T3G
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
Číslo dílu
NSVMUN5113DW1T3G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-363
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 98334 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NSVMUN5113DW1T3G
NSVMUN5113DW1T3G Elektronické komponenty
NSVMUN5113DW1T3G Odbyt
NSVMUN5113DW1T3G Dodavatel
NSVMUN5113DW1T3G Distributor
NSVMUN5113DW1T3G Datová tabulka
NSVMUN5113DW1T3G Fotky
NSVMUN5113DW1T3G Cena
NSVMUN5113DW1T3G Nabídka
NSVMUN5113DW1T3G Nejnižší cena
NSVMUN5113DW1T3G Vyhledávání
NSVMUN5113DW1T3G Nákup
NSVMUN5113DW1T3G Chip