onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVMMUN2230LT1G
1 NPN-Prebiased 100mA 50V NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
NSVMMUN2230LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 57145 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NSVMMUN2230LT1G
NSVMMUN2230LT1G Elektronické komponenty
NSVMMUN2230LT1G Odbyt
NSVMMUN2230LT1G Dodavatel
NSVMMUN2230LT1G Distributor
NSVMMUN2230LT1G Datová tabulka
NSVMMUN2230LT1G Fotky
NSVMMUN2230LT1G Cena
NSVMMUN2230LT1G Nabídka
NSVMMUN2230LT1G Nejnižší cena
NSVMMUN2230LT1G Vyhledávání
NSVMMUN2230LT1G Nákup
NSVMMUN2230LT1G Chip