onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVMMUN2113LT3G
PNP-Prebiased 100mA 50V PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Číslo dílu
NSVMMUN2113LT3G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
10000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 80046 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NSVMMUN2113LT3G
NSVMMUN2113LT3G Elektronické komponenty
NSVMMUN2113LT3G Odbyt
NSVMMUN2113LT3G Dodavatel
NSVMMUN2113LT3G Distributor
NSVMMUN2113LT3G Datová tabulka
NSVMMUN2113LT3G Fotky
NSVMMUN2113LT3G Cena
NSVMMUN2113LT3G Nabídka
NSVMMUN2113LT3G Nejnižší cena
NSVMMUN2113LT3G Vyhledávání
NSVMMUN2113LT3G Nákup
NSVMMUN2113LT3G Chip