onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBCW32LT1G
NPN 32V 100mA NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
NSVBCW32LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This NPN bipolar transistor is suitable for linear and switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 71352 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBCW32LT1G
NSVBCW32LT1G Elektronické komponenty
NSVBCW32LT1G Odbyt
NSVBCW32LT1G Dodavatel
NSVBCW32LT1G Distributor
NSVBCW32LT1G Datová tabulka
NSVBCW32LT1G Fotky
NSVBCW32LT1G Cena
NSVBCW32LT1G Nabídka
NSVBCW32LT1G Nejnižší cena
NSVBCW32LT1G Vyhledávání
NSVBCW32LT1G Nákup
NSVBCW32LT1G Chip