onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBCP56-10T3G
NPN 80V 1A 1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor
Číslo dílu
NSVBCP56-10T3G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-223
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 81256 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBCP56-10T3G
NSVBCP56-10T3G Elektronické komponenty
NSVBCP56-10T3G Odbyt
NSVBCP56-10T3G Dodavatel
NSVBCP56-10T3G Distributor
NSVBCP56-10T3G Datová tabulka
NSVBCP56-10T3G Fotky
NSVBCP56-10T3G Cena
NSVBCP56-10T3G Nabídka
NSVBCP56-10T3G Nejnižší cena
NSVBCP56-10T3G Vyhledávání
NSVBCP56-10T3G Nákup
NSVBCP56-10T3G Chip