onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBCH817-40LT1G
NPN 45V 500mA
Číslo dílu
NSVBCH817-40LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 67052 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBCH817-40LT1G
NSVBCH817-40LT1G Elektronické komponenty
NSVBCH817-40LT1G Odbyt
NSVBCH817-40LT1G Dodavatel
NSVBCH817-40LT1G Distributor
NSVBCH817-40LT1G Datová tabulka
NSVBCH817-40LT1G Fotky
NSVBCH817-40LT1G Cena
NSVBCH817-40LT1G Nabídka
NSVBCH817-40LT1G Nejnižší cena
NSVBCH817-40LT1G Vyhledávání
NSVBCH817-40LT1G Nákup
NSVBCH817-40LT1G Chip