onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBC858AWT1G
PNP 30V 100mA 100 mA, 30V PNP Bipolar Junction Transistor
Číslo dílu
NSVBC858AWT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-323-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60213 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBC858AWT1G
NSVBC858AWT1G Elektronické komponenty
NSVBC858AWT1G Odbyt
NSVBC858AWT1G Dodavatel
NSVBC858AWT1G Distributor
NSVBC858AWT1G Datová tabulka
NSVBC858AWT1G Fotky
NSVBC858AWT1G Cena
NSVBC858AWT1G Nabídka
NSVBC858AWT1G Nejnižší cena
NSVBC858AWT1G Vyhledávání
NSVBC858AWT1G Nákup
NSVBC858AWT1G Chip