onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBC857CWT1G
PNP 45V 100mA 45 V, 100 mA, PNP Bipolar Junction Transistor
Číslo dílu
NSVBC857CWT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-323-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This PNP bipolar transistor is suitable for general purpose amplifier applications. This device features a SOT-323/SC-70 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74040 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBC857CWT1G
NSVBC857CWT1G Elektronické komponenty
NSVBC857CWT1G Odbyt
NSVBC857CWT1G Dodavatel
NSVBC857CWT1G Distributor
NSVBC857CWT1G Datová tabulka
NSVBC857CWT1G Fotky
NSVBC857CWT1G Cena
NSVBC857CWT1G Nabídka
NSVBC857CWT1G Nejnižší cena
NSVBC857CWT1G Vyhledávání
NSVBC857CWT1G Nákup
NSVBC857CWT1G Chip