onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBC848CLT1G
NPN 30V 100mA NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
NSVBC848CLT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This NPN bipolar transistor is suitable for linear and switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74634 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBC848CLT1G
NSVBC848CLT1G Elektronické komponenty
NSVBC848CLT1G Odbyt
NSVBC848CLT1G Dodavatel
NSVBC848CLT1G Distributor
NSVBC848CLT1G Datová tabulka
NSVBC848CLT1G Fotky
NSVBC848CLT1G Cena
NSVBC848CLT1G Nabídka
NSVBC848CLT1G Nejnižší cena
NSVBC848CLT1G Vyhledávání
NSVBC848CLT1G Nákup
NSVBC848CLT1G Chip