onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBC847BTT1G
NPN 45V 100mA NPN Bipolar Transistor
Číslo dílu
NSVBC847BTT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-416
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This NPN bipolar transistor is suitable for general purpose amplifier applications. The device features SC?75/SOT?416 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 73435 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBC847BTT1G
NSVBC847BTT1G Elektronické komponenty
NSVBC847BTT1G Odbyt
NSVBC847BTT1G Dodavatel
NSVBC847BTT1G Distributor
NSVBC847BTT1G Datová tabulka
NSVBC847BTT1G Fotky
NSVBC847BTT1G Cena
NSVBC847BTT1G Nabídka
NSVBC847BTT1G Nejnižší cena
NSVBC847BTT1G Vyhledávání
NSVBC847BTT1G Nákup
NSVBC847BTT1G Chip