onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBAT54WT1G
30V 200mA 520mV@100mA 30 V Schottky diode
Číslo dílu
NSVBAT54WT1G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-323
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This Schottky diode is suitable for high-speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Very low forward voltage reduces conduction losses. Miniature encapsulation is ideal for space-constrained handheld and portable applications.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 60519 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBAT54WT1G
NSVBAT54WT1G Elektronické komponenty
NSVBAT54WT1G Odbyt
NSVBAT54WT1G Dodavatel
NSVBAT54WT1G Distributor
NSVBAT54WT1G Datová tabulka
NSVBAT54WT1G Fotky
NSVBAT54WT1G Cena
NSVBAT54WT1G Nabídka
NSVBAT54WT1G Nejnižší cena
NSVBAT54WT1G Vyhledávání
NSVBAT54WT1G Nákup
NSVBAT54WT1G Chip