onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSVBAT54HT1G
30V 200mA 800mV@100mA 30 V, Schottky diode
Číslo dílu
NSVBAT54HT1G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOD-323
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This Schottky diode is suitable for high-speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Very low forward voltage reduces conduction losses. Miniature encapsulation is ideal for handheld and portable applications where space is limited.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 63435 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSVBAT54HT1G
NSVBAT54HT1G Elektronické komponenty
NSVBAT54HT1G Odbyt
NSVBAT54HT1G Dodavatel
NSVBAT54HT1G Distributor
NSVBAT54HT1G Datová tabulka
NSVBAT54HT1G Fotky
NSVBAT54HT1G Cena
NSVBAT54HT1G Nabídka
NSVBAT54HT1G Nejnižší cena
NSVBAT54HT1G Vyhledávání
NSVBAT54HT1G Nákup
NSVBAT54HT1G Chip