onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NRVBSS24T3G 40V 2A 500mV@2A 2.0 A, Schottky diode

NRVBSS24T3G

40V 2A 500mV@2A 2.0 A, Schottky diode
Číslo dílu
NRVBSS24T3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SMB (DO-214AA)
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 70007 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NRVBSS24T3G
NRVBSS24T3G Elektronické komponenty
NRVBSS24T3G Odbyt
NRVBSS24T3G Dodavatel
NRVBSS24T3G Distributor
NRVBSS24T3G Datová tabulka
NRVBSS24T3G Fotky
NRVBSS24T3G Cena
NRVBSS24T3G Nabídka
NRVBSS24T3G Nejnižší cena
NRVBSS24T3G Vyhledávání
NRVBSS24T3G Nákup
NRVBSS24T3G Chip